产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
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STMicroelectronics STGB6NC60HD N沟道 IGBT, 15 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGB6NC60HD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
284-019
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STMicroelectronics STGW20NC60VD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGW20NC60VD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8354
搜索
STMicroelectronics STGP7NC60HD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGP7NC60HD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
686-8366
搜索
STMicroelectronics STGW30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGW30V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7633
搜索
STMicroelectronics STGW40V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGW40V60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7637
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STMicroelectronics STGW60V60DLF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGW60V60DLF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7652
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STMicroelectronics STGWT40V60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGWT40V60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7665
查看其他仓库
STMicroelectronics STGWT60V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGWT60V60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7677
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STMicroelectronics STGF30V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGF30V60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9346
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STMicroelectronics STGP40V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGP40V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9370
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STMicroelectronics STGW40H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGW40H60DLFB
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5791
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STMicroelectronics STGW40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGW40H65FB
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5805
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STMicroelectronics STGW80V60DF N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGW80V60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5827
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STMicroelectronics STGF3NC120HD N沟道 IGBT, 6 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGF3NC120HD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9094
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STMicroelectronics STGF10NC60HD N沟道 IGBT, 9 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGF10NC60HD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-3494
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STMicroelectronics STGY50NC60WD N沟道 IGBT, 110 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 Max247封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGY50NC60WD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
811-0903
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STMicroelectronics STGWT40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGWT40H65FB
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4509
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STMicroelectronics STGWT60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGWT60H65DFB
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4666
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STMicroelectronics STGP10H60DF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGP10H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7139
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STMicroelectronics STGB20H60DF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGB20H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7549
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STMicroelectronics STGB20V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGB20V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
860-7555
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STMicroelectronics STGF10NB60SD N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGF10NB60SD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2873
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STMicroelectronics STGB7H60DF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGB7H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2789
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STMicroelectronics STGD5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGD5H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2798
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STMicroelectronics STGP7H60DF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:STMicroelectronics,规格:最大栅极发射极电压 ±20V,
制造商零件编号:
STGP7H60DF
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2802
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