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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP11N40C, 10.5 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电阻值 530 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP11N40C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5004
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFME2P823ZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电阻值 530 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDFME2P823ZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9490
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD8P10TM, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电阻值 530 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQD8P10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1043
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP8P10, 5.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电阻值 530 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP8P10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5879
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF7N60YDTU, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电阻值 530 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCPF7N60YDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7938
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD8P10TM_F085, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电阻值 530 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQD8P10TM_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8763
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF650N80Z, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电阻值 530 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCPF650N80Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7929
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDME1023PZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电阻值 530 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDME1023PZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9572
  
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