产品分类:分立半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 41 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA69N25, 69 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 41 mΩ,
制造商零件编号:
FDA69N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0792
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH041N60E, 77 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 41 mΩ,
制造商零件编号:
FCH041N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5053
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:分立半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 41 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC86102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4774
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8451, 28 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 41 mΩ,
制造商零件编号:
FDD8451
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0935
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP61N20, 61 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 41 mΩ,
制造商零件编号:
FDP61N20
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4859
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH041N65F_F155, 76 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 41 mΩ,
制造商零件编号:
FCH041N65F_F155
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1261
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH041N60F, 76 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 41 mΩ,
制造商零件编号:
FCH041N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1268
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP52N20, 52 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 41 mΩ,
制造商零件编号:
FDP52N20
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4847
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDC637AN, 6.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Fairchild Semiconductor,规格:最大漏源电阻值 41 mΩ,
制造商零件编号:
FDC637AN
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0840
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