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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP315PH6327XTSA1, 1.17 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 800 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSP315PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9238
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR315PL6327, 620 mA, Vds=60 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 800 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSR315PL6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9395
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP322PH6327XTSA1, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 800 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSP322PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9279
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 800 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6823
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP296NH6327XTSA1, 1.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 800 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSP296NH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9260
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 800 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP90R800C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7040
  
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