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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6930B, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS6930B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0655
  
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• Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7799L2TR1PBF, 375 A, Vds=250 V, 11引脚 DirectFET L8封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7799L2TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5397
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN40LN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PMN40LN,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8411
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC86102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6314
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI3460DDV-T1-GE3, 7.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI3460DDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3158
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIA449DJ-T1-GE3, 10.4 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIA449DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1213
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF320N06L, 21 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDPF320N06L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8600
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10T4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD25NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5061
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW77N65M5, 69 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW77N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0635
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCH76N60NF, 73 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCH76N60NF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  802-3206
  
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• Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG70N60EF-GE3, 70 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SiHG70N60EF-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4475
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 N沟道 Si MOSFET HUF76423P3, 33 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  HUF76423P3
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8714
  
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• ROHM P沟道 Si MOSFET RQ1A070ZPTR, 7 A, Vds=12 V, 8引脚 TSMT封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  RQ1A070ZPTR
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7737
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN38EN,135, 5.4 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PMN38EN,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8417
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ECH8419-TL-H, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ECH8419-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0813
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF3860T, 20 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDPF3860T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3611
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10T4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 38 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD25NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6563
  
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