产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD7NK40ZT4, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
STD7NK40ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5147
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9634GPBF, 4.1 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
IRFI9634GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4780
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTA4151PT1G, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
NTA4151PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0504
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTE4151PT1G, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
NTE4151PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0554
搜索
Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF6N40D-E3, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
SIHF6N40D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9153
搜索
Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP6N40D-GE3, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
SIHP6N40D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9187
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5419
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFI620GPBF, 4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
IRFI620GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0708
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF730AS-GE3, 5.5 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
SIHF730AS-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2648
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6107
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Microchip P沟道 MOSFET VP3203N3-G, 650 mA, Vds=30 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
VP3203N3-G
品牌:
Microchip
库存编号:
893-8269
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP10A13FTA, 700 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
ZXMP10A13FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7936
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK4021(Q), 4.5 A, Vds=250 V, 3引脚 PW Mold2封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
2SK4021(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
362-793
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206A, 600 mA, Vds=60 V, 3引脚 E-Line封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
ZVN4206A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
655-559
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Semelab Si N沟道 MOSFET D1001UK, 5 A, Vds=70 V, 4引脚 DA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
D1001UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7648
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF8N50NZF, 7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
FDPF8N50NZF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4894
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP7NK40ZFP, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
STP7NK40ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-7418
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10A80E,S4X(S, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
TK10A80E,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2647
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI730GPBF, 3.7 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
IRFI730GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9686
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP10A13FTA, 700 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
ZXMP10A13FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7616
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ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTJD4152PT1G, 880 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
NTJD4152PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0611
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2550UFA-7B, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN0806封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
DMN2550UFA-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1060
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4206ASTZ, 600 mA, Vds=60 V, 3引脚 E-Line封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
ZVN4206ASTZ
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7717
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP6N40C, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
FQP6N40C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5168
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK10J80E, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1 Ω,
制造商零件编号:
TK10J80E
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5159
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