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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N100TM, 1.6 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQD2N100TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0999
  
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• Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 2N7000CSM, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 LCC 1封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  2N7000CSM
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7593
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDC6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDC6301N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0155
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STFW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  STFW3N150
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0493
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2N7000_D26Z, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  2N7000_D26Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4074
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STH3N150-2, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 H2PAK-2封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  STH3N150-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5861
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STH3N150-2, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 H2PAK-2封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  STH3N150-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2012
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZVP4424A, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 E-Line封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  ZVP4424A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  157-4625
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZVP4424GTA, 480 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  ZVP4424GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7322
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  STP3N150
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9698
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  STW3N150
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0320
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  STW3N150
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6636
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1032R-T1-GE3, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  SI1032R-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9024
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU2N100TU, 1.6 A, Vds=1000 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQU2N100TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5936
  
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• Semelab Si N沟道 MOSFET VN10K, 170 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-18封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 9 Ω,
• 制造商零件编号：
  VN10K
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7597
  
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