产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5807NT4G, 23 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
NTD5807NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1033
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3446ADV-T1-E3, 5.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
SI3446ADV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3291
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6414AN-1G, 32 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
NTD6414AN-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2910
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC4435BZ, 32 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC4435BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6260
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3414U-7, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
DMG3414U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4086
搜索
DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMG9926USD-13, 8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
DMG9926USD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4124
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5414NT4G, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
NVD5414NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1074
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD16AN08A0, 50 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
FDD16AN08A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9055
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMS4435BZ, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS4435BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9620
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3105, 25 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRLR3105
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9225
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN020-100YS, 43 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN020-100YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2867
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Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 N沟道 Si MOSFET HUFA76419D3ST, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
HUFA76419D3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9334
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R037C6, 83 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
IPW65R037C6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7474
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD6414ANT4G, 32 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
NTD6414ANT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2913
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6344TRPBF, 5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML6344TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7225
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET CPH6443-TL-H, 6 A, Vds=35 V, 6引脚 CPH封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
CPH6443-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-9396
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ATP212-TL-H, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 ATPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
ATP212-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0762
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDD16AN08A0_F085, 50 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
FDD16AN08A0_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8054
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML6344TRPBF, 5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 37 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML6344TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4073
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