产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-038
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
SPP08N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8794
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP07N65C3XKSA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
SPP07N65C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8797
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103GTRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML5103GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1012
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Infineon CoolMOS P6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600P6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IPD60R600P6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7298
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600E6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IPD60R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7330
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Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IPP65R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7608
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4744
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Infineon 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFI4024H-117P, 11 A, Vds=55 V, 5引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IRFI4024H-117P
品牌:
Infineon
库存编号:
700-3214
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
SPP08N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8790
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR220NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2216
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
SPA07N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8460
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPI08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
SPI08N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8750
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R600C6, 7.3 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IPP60R600C6
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2260
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
SPU07N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7309
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302PBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML6302PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6851
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
SPA08N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8463
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
SPD07N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8498
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
SPD08N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3184
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Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSD235NH6327XT, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
BSD235NH6327XT
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0115
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R600C6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IPI65R600C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6735
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR220NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3875
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP07N60S5, 7.3 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
SPP07N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6363
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD60R600C6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 600 mΩ,
制造商零件编号:
IPD60R600C6
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8366
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