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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB40NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7248
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP40NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7642
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP45NF06, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP45NF06
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7658
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRLZ44, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLZ44PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4897
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN2020LSN-7, 6.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN2020LSN-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4146
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2908, 30 A，39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR2908
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9221
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ATP206-TL-H, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ATP206-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-9500
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDMC8030, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC8030
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3504
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ40PBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ40PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0676
  
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• Panasonic N沟道 MOSFET 晶体管 FK6K02010L, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 WSMini6-F1-B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FK6K02010L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  728-6857
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908PBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2908PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0329
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2028USS-13, 9.8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN2028USS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-3220
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4020LFDE-7, 9.5 A, Vds=40 V, 6引脚 U-DFN2020封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN4020LFDE-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3203
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908PBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2908PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4714
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ44PBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4862
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP6413ANG, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTP6413ANG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2976
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD40NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9904
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB45NF06T4, 38 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB45NF06T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  809-1568
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA70N15, 70 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQA70N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4966
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD30NF06LT4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD30NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5169
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6413ANT4G, 42 A, Vds=100 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTB6413ANT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2866
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET NDS8425, 7.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NDS8425
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-1242
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN2014LHAB-7, 9.3 A, Vds=20 V, 7引脚 U-DFN2030封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN2014LHAB-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0462
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP40NF10, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP40NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6654
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD30NF06LT4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 28 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD30NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8777
  
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