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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7506TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-307
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW20NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-3114
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP460PBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP460PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9654
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460LCPBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP460LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0193
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP460APBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP460APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9800
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NM65N, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP20NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9667
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK32N80Q3, 32 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK32N80Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1418
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP20NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  809-1584
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHG20N50C-E3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIHG20N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1266
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PLG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPD15P10PLG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5347
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH26N60P, 26 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH26N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-451
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET IRF7504TRPBF, 1.7 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7504TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-748
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRLD120PBF, 1.3 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLD120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0484
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD16N25CTM, 16 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQD16N25CTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0964
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP17N40, 16 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP17N40
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5036
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR120PBF, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR120PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4812
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHL640STRL-GE3, 17 A, Vds=200 V, 3引脚 SMD-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIHL640STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0705
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI520GPBF, 7.2 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI520GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2711
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS315P, 1.18 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSS315P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5497
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW20NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6698
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF20NM65N, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF20NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0455
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6306P, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC6306P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-9834
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG20N50, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIGH20N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  785-8641
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX32N80Q3, 32 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFX32N80Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1496
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB21NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 270 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB21NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  811-1060
  
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