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• NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS123
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8117
  
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• Panasonic FK 系列 Si N沟道 MOSFET FK3303010L, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SSSMini3 F2 B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  FK3303010L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  719-3193
  
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• Panasonic FK 系列 Si N沟道 MOSFET FK3503010L, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SMini3 F2 B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  FK3503010L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  760-2937
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK100Z, 2.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD3NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9900
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQN1N50CTA, 380 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQN1N50CTA
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5866
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIB452DK-T1-GE3, 670 mA, Vds=190 V, 6引脚 SC-75封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  SIB452DK-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1253
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS123LT1G, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS123LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-2944
  
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• Nexperia PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS123
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  671-0321
  
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• Panasonic FC 系列 双 Si N沟道 MOSFET FC6943010R, 100 mA, Vds=30 V, 6引脚 SSMini6 F3 B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  FC6943010R
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  715-9657
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS123
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0885
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS138NH6327, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS138NH6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9954
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN1509N8-G, 360 mA, Vds=90 V, 4引脚 TO-243AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  DN1509N8-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3314
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS138W, 210 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS138W
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4112
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET BSP130, 350 mA, Vds=300 V, 4引脚 SC-73封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSP130
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  508-595
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK100Z, 2.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  STD3NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1987
  
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• Nexperia SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP89, 350 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSP89
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  445-2281
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS123LT1G, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS123LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  545-0135
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU01N60C3, 800mA, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  SPU01N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3210
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STF3NK100Z, 2.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  STF3NK100Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2821
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET TN2404K-T1-GE3, 300 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  TN2404K-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7647
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS138WH6327XTSA1, 280 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSS138WH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9989
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN3525N8-G, 360 mA, Vds=250 V, 4引脚 TO-243AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  DN3525N8-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3351
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN66D0LDW-7, 115 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  DMN66D0LDW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4212
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP129H6906XTSA1, 280 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  BSP129H6906XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9434
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET TN2404K-T1-GE3, 300 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 6 Ω,
• 制造商零件编号：
  TN2404K-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4347
  
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