产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
IRLIZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0541
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB50N06TM, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
FQB50N06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0911
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4127PBF, 72 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4127PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7096
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMA7670, 11 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
FDMA7670
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8177
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
IRLIZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3796
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0828
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0830
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5659
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IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH120N20P, 120 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
IXFH120N20P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-458
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7401PBF, 8.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7401PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9834
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS4935BZ, 6.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
FDS4935BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0536
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990AS, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
FDS6990AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0671
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STY112N65M5, 96 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
STY112N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0648
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5429DU-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI5429DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9232
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMV22EN, 5.2 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
PMV22EN
品牌:
NXP
库存编号:
798-2794
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIA462DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SIA462DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1222
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7288DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1390
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7495TRPBF, 7.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7495TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3877
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI7288DP-T1-GE3, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI7288DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4334
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5652
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Taiwan Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET TSM6968DCA RVG, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
TSM6968DCA RVG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
398-449
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7403PBF, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7403PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9840
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
FQP50N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5137
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7495PBF, 7.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7495PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6875
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 22 mΩ,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4730
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