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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 53 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQ3460EV-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9468
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 53 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPB530N15N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8982
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRLHS2242TR2PBF, 15 A, Vds=20 V, 6引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 53 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLHS2242TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4422
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI3483CDV-T1-GE3, 7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 53 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI3483CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3164
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC606P, 6 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 53 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC606P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9033
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD5810_F085, 37 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 53 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD5810_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8089
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI3483CDV-T1-GE3, 7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 53 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI3483CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4268
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC602P, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 53 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC602P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9030
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3 G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 53 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP530N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2305
  
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