产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor J105 N通道 JFET 晶体管, Idss: 500mA, 3引脚 TO-92封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
J105
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1747
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRF820APBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
IRF820APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9412
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
IRFPE30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9872
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF820PBF, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
IRF820PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0002
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9610GPBF, 2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
IRFI9610GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2193
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9610SPBF, 1.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
IRF9610SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4227
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN601WK-7, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
DMN601WK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4206
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
STP3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9689
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STD3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
STD3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9897
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
STF3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0465
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9210TRPBF, 1.9 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
IRFR9210TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0657
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF820L-GE3, 2.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
SIHF820L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2645
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN62D0LFD-7, 310 mA, Vds=60 V, 3引脚 X1-DFN1212封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
DMN62D0LFD-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3200
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Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N60S5, 1.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
SPD02N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
445-2360
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
IRFBE30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1124
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9210PBF, 1.9 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
IRFU9210PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1679
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN5L06WK-7, 300 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
DMN5L06WK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2434
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN5L06VK-7, 280 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
DMN5L06VK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2513
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Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS87,115, 400 mA, Vds=200 V, 3引脚 SOT-89封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
BSS87,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8316
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS83P, 330 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
BSS83P
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2857
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DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN21D2UFB-7B, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
DMN21D2UFB-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5119
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU420PBF, 2.4 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-251AA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
IRFU420PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9002
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
SI3442CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9226
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG4N65CT, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
DMG4N65CT
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4570
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9214TRPBF, 2.7 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3 Ω,
制造商零件编号:
IRFR9214TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0650
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