产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
分立半导体
(53)
MOSFET 晶体管
(53)
筛选品牌
DiodesZetex (8)
Fairchild Semiconductor (1)
Infineon (15)
IXYS (2)
Nexperia (4)
NXP (1)
ON Semiconductor (2)
ROHM (1)
STMicroelectronics (5)
Texas Instruments (2)
Toshiba (8)
Vishay (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2508(F), 13 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220NIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
2SK2508(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-625
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-016
搜索
NXP Si P沟道 MOSFET BSP250, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
BSP250
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8317
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17GTA, 3.7 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMP7A17GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2478
搜索
DiodesZetex 双 N沟道 MOSFET 晶体管 ZXMS6005DT8TA, 1.8 A, Vds=70 V, 8引脚 SM封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMS6005DT8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-5213
查看其他仓库
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17KTC, 5.7 A, Vds=70 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMP7A17KTC
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5376
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
IPB60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8356
查看其他仓库
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
IPP60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3049
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK14A65W,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
TK14A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5028
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 系列 N沟道 Si MOSFET BSS214NWH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
BSS214NWH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0030
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPI50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
IPI50R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4697
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
IPI60R250CPAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6700
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK14N65W,S1F(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
TK14N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2891
查看其他仓库
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17KTC, 5.7 A, Vds=70 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMP7A17KTC
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8516
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML2803TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-022
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF9953PBF, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9953PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0339
搜索
IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK26N60Q, 26 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
IXFK26N60Q
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5389
查看其他仓库
DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6005DGTA, 2 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMS6005DGTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-5204
查看其他仓库
DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6005SGTA, 2 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMS6005SGTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
738-5216
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET NDS9407, 3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
NDS9407
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4583
搜索
Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG460B-GE3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
SIHG460B-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9178
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2250UFB-7B, 1.35 A, Vds=20 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
DMN2250UFB-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4599
查看其他仓库
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2112SN-7, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
DMN2112SN-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2558
查看其他仓库
ROHM N沟道 Si MOSFET RTR020N05TL, 8 A, Vds=45 V, 3引脚 TSMT封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
RTR020N05TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7790
搜索
Infineon OptiMOS 系列 N沟道 Si MOSFET BSS214NH6327XT, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 250 mΩ,
制造商零件编号:
BSS214NH6327XT
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0058
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号