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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFB812PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1939
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  SI4190ADY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9235
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP3N30, 3.2 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  FQP3N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5872
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHFBC30AS-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30AS-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2698
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC30GPBF, 2.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFIBC30GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1382
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTK3139PT1G, 870 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-723封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  NTK3139PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0642
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30S-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2691
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN32D2LFB4-7, 300 mA, Vds=30 V, 3引脚 DFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  DMN32D2LFB4-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2570
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN86265P, 800mA, Vds=150 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDN86265P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8512
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  SI4190ADY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4233
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRF5801TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-631
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC30APBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFBC30APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4768
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFR812PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8957
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFP4N60P3, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IXFP4N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4439
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30STRL-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC30STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2695
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDMC86265P, 1 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDMC86265P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8234
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRF5801TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4725
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC30PBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 2.2 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRFBC30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9507
  
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