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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6690A, 46 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 0.019 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDD6690A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4144
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL6342TRPBF, 9.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 0.019 Ω,
• 制造商零件编号：
  IRL6342TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5089
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SUM55P06-19L-E3, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 0.019 Ω,
• 制造商零件编号：
  SUM55P06-19L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5020
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8880, 54 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 0.019 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDB8880
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9005
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SUM55P06-19L-E3, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 0.019 Ω,
• 制造商零件编号：
  SUM55P06-19L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0925
  
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