产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
分立半导体
(42)
MOSFET 晶体管
(42)
筛选品牌
DiodesZetex (3)
Fairchild Semiconductor (3)
Infineon (16)
International Rectifier (1)
IXYS (1)
ON Semiconductor (6)
STMicroelectronics (6)
Toshiba (4)
Vishay (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
NTTFS5820NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5087
搜索
Infineon N沟道 MOSFET IRF8010LPBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRF8010LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4132
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB80NF10T4, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
STB80NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5080
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4228PBF, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4228PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6948
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IPD105N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5468
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP150N10A_F102, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
FDP150N10A_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5949
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP4015SPS-13, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 POWERDI5060封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
DMP4015SPS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5175
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8010PBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRF8010PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0290
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ130N03MSG, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
BSZ130N03MSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5101
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
BSZ100N03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5142
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30A06N1,S4X(S, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
TK30A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6179
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7698, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS7698
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8394
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STY145N65M5, 138 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
STY145N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
880-5474
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7910PBF, 10 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
405-521
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF10FP, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
STP80NF10FP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5311
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6668TR1PBF, 55 A, Vds=80 V, 5引脚 DirectFET MZ封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRF6668TR1PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
716-5375
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK30E06N1, 43 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
TK30E06N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5083
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR412DP-T1-GE3, 13.4 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
SIR412DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1263
搜索
DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP4015SK3-13, 11 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
DMP4015SK3-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2643
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5820NLTWG, 29 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
NVTFS5820NLTWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4201
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFSL4321PBF, 85 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRFSL4321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4123
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4321PBF, 85 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-568
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4321PBF, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4321PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-877
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTTFS5820NLTAG, 37 A, Vds=60 V, 8引脚 WDFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
NTTFS5820NLTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2995
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4172DY-T1-GE3, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 15 mΩ,
制造商零件编号:
SI4172DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3202
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号