以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP104N60F, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 104 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCP104N60F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7893
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTD3055L104T4G, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 104 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD3055L104T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  463-325
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTD3055L104T4G, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 104 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD3055L104T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  100-8063
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N60Q3, 42 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 104 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFR64N60Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1455
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC86139P, 4.4 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 104 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC86139P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8215
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH104N60, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 104 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCH104N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1271
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH104N60F, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 104 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCH104N60F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1280
  
• 
  查看其他仓库