产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU120NPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
IRFU120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1613
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG328P, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
FDG328P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3399
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR120NTRPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR120NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4038
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR120NPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4823
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STL22N65M5, 15 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
STL22N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3046
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ROHM Si N沟道 MOSFET RHP030N03T100, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 MPT封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
RHP030N03T100
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7734
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTS2101PT1G, 1.5 A, Vds=8 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
NTS2101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4755
搜索
Nexperia P沟道 Si MOSFET PMV160UP, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
PMV160UP
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6928
搜索
Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 2SJ380(F), 12 A, Vds=100 V, 3引脚 SC-67封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
2SJ380(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
185-401
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR120NPBF, 9.4 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR120NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0092
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP3A13FTA, 1.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMP3A13FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7518
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR014N, 10 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRLR014N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1897
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN1150UFB-7B, 1.4 A, Vds=12 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
DMN1150UFB-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
790-4583
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS9400A, 3.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
FDS9400A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3686
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP3A13FTA, 1.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 210 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMP3A13FTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7904
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