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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3632_F085, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 0.022 Ω,
• 制造商零件编号：
  FDB3632_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7988
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMT8012LFG-7, 35 A, Vds=80 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 0.022 Ω,
• 制造商零件编号：
  DMT8012LFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1186
  
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• Infineon OptiMOS FD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP220N25NFD, 61 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 0.022 Ω,
• 制造商零件编号：
  IPP220N25NFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6983
  
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