产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A10N1,S4X(S, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
制造商零件编号:
TK100A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4983
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A10N1,S4X(S, 207 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
制造商零件编号:
TK100A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2866
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF2907ZS-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7427
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7670AS, 113 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS7670AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4807
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
制造商零件编号:
BSC030N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5244
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSO033N03MSG, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
制造商零件编号:
BSO033N03MSG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9184
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16321Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
制造商零件编号:
CSD16321Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4684
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86350, 130 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
制造商零件编号:
FDMS86350
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8483
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF2907ZS-7P, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 3.8 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF2907ZS-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8582
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