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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86140, 11.2 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS86140
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9689
  
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• Toshiba TPC 系列 Si P沟道 MOSFET TPC8125, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TPC8125
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5115
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5406NT4G, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD5406NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1018
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18537NQ5AT, 54 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON-FET封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD18537NQ5AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9247
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44VPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3821
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ46NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4848
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD35NF06LT4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD35NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6604
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ46NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ46NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0711
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44VPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0939
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC510P, 54 A, Vds=20 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC510P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6279
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD60NF55LT4, 60 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD60NF55LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9588
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2008UFG-7, 11 A, Vds=20 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP2008UFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2611
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3015LSS-13, 9.7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP3015LSS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-4024
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2L-13, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2L-13
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5765
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD35NF06LT4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD35NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5103
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4403BDY-T1-E3, 7.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4403BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3336
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4202DY-T1-GE3, 12.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4202DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3218
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STY139N65M5, 130 A, Vds=710 V, 3引脚 Max247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 17 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STY139N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8815
  
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