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• NXP 双 Si N沟道 MOSFET PHKD6N02LT,518, 10.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  PHKD6N02LT,518
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  509-510
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP044NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1562
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFIZ46NPBF, 33 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ46NPBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  542-9759
  
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• Panasonic FC 系列 双 N沟道 Si MOSFET FC8V22040L, 8 A, Vds=24 V, 8引脚 WMini8-F1封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FC8V22040L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  749-8246
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ATP202-TL-H, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  ATP202-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  792-5228
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN014-40YS, 46 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN014-40YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2839
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6911, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS6911
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3661
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4410EY-T1-GE3, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  SQ4410EY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3911
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4800LSSL-13, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN4800LSSL-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-3233
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L-20, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD30N03S2L-20
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4580
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU3103PBF, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLU3103PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5062
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905PBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF4905PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4772
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7416PBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7416PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4820
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP044NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4909
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4127PBF, 76 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4127PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6936
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF4905, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF4905
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4246
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD35NF06T4, 35 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  STD35NF06T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9893
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF4905L, 70 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF4905L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9133
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIR872DP-T1-GE3, 54 A, Vds=150 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  SIR872DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9364
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD5353, 11.5 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD5353
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0896
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7129DN-T1-GE3, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7129DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1384
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STS10P4LLF6, 10 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  STS10P4LLF6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5711
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905LPBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF4905LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3662
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF4905SPBF, 74 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF4905SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3678
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS4435BZ, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 20 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS4435BZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0508
  
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