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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3710ZSPBF, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3710ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6853
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3710Z, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3710Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7664
  
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• Infineon 双 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7324PBF, 9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7324PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0280
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF3710ZS, 59 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3710ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7677
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3710ZTRPBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3710ZTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4050
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3710ZPBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3710ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3944
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7853PBF, 8.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7853PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6888
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU3710ZPBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU3710ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7131
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR3710Z, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR3710Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7645
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL3705N, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRL3705N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1894
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P03P4L-11, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD50P03P4L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9159
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BTS240A, 58 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-218封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BTS240A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-5859
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3710ZPBF, 56 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR3710ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4340
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413TRPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 18 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7413TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8914
  
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