产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 145 mΩ,
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 145 mΩ,
制造商零件编号:
SIHP24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9344
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHB24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 145 mΩ,
制造商零件编号:
SiHB24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9316
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA915DJ-T1-GE3, 3.7 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 145 mΩ,
制造商零件编号:
SIA915DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1231
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI1473DH-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 145 mΩ,
制造商零件编号:
SI1473DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3088
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电阻值 145 mΩ,
制造商零件编号:
SiHG24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9335
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