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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 82 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS31N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  539-4990
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806NEH6327XTSA1, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 82 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSS806NEH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0109
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 82 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB31N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3947
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DTRLP, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 82 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS31N20DTRLP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4091
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315SPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 82 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3315SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-158
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS806NH6327XT, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 82 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSS806NH6327XT
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0096
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3315S, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 82 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3315S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9124
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS806N, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 82 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSS806N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8260
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315STRLPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 82 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3315STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2803
  
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