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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3410, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3410
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7420
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20A60W,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20A60W,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5062
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20E60W,S1VX(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5069
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI1469DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3081
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6167
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2945
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20J60W,S1VQ(O, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6163
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20A60W,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20A60W,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2920
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3410TRPBF, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3410TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3379
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTR5198NLT1G, 2.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTR5198NLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  796-1381
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5071
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA28N50, 28 A, Vds=500 V, 2引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDA28N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-5084
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20A60W,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20A60W,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6151
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK20E60W,S1VX(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 155 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK20E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2932
  
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