产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD5P10TM, 2.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
FQD5P10TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9023
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQT5P10TF, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
FQT5P10TF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1068
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM80-1, 6.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
STD7NM80-1
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2717
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF1300N80ZYD, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
FCPF1300N80ZYD
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7919
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP7NM80, 6.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
STP7NM80
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0180
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH15N100Q3, 15 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
IXFH15N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1389
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD04P10PLG, 4.2 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
SPD04P10PLG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9064
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH15N100Q3, 15 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
IXFH15N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0969
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT15N100Q3, 15 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-268封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
IXFT15N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1468
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF1300N80Z, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
FCPF1300N80Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7916
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF10N50UT, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 1.05 Ω,
制造商零件编号:
FDPF10N50UT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8578
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