产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4310ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-821
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF3709ZSPBF, 87 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3709ZSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6841
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3709ZPBF, 87 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3709ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6847
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRF4104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5545
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4104PBF, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR4104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8888
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF4104SPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRF4104SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8894
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3307ZPBF, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB3307ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6914
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4310ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6951
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU3711ZPBF, 93 A, Vds=20 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRFU3711ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7140
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8729PBF, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR8729PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7248
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N04S3-07, 82 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IPD70N04S3-07
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3024
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC060N10NS3 G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
BSC060N10NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5276
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPP80N04S4L-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IPP80N04S4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6978
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3803SPBF, 140 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRL3803SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0412
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3711PBF, 110 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRF3711PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2351
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6710S2TR1PBF, 12 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET S1封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRF6710S2TR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6734
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4310ZPBF, 134 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP4310ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6992
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3307ZPBF, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS3307ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7070
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL8113SPBF, 105 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRL8113SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7200
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP040N06N, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IPP040N06N
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2144
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Infineon LogicFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3803PBF, 140 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRL3803PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9979
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS3307PBF, 130 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS3307PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8945
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4568PBF, 171 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP4568PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7018
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL8113PBF, 105 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRL8113PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7207
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLR8113PBF, 94 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 6 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR8113PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
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