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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFZ24NS, 17 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ24NS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1872
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R070C6, 53 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW60R070C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3068
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR5305, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR5305
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4312
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ24NSTRLPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ24NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5853
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET AUIRF7341Q, 5.1 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF7341Q
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4274
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR2703, 23 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR2703
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4347
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301TRPBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7301TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8847
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ24NPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ24NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-5015
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241TRPBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7241TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8844
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ24NPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ24NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4851
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ24NPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ24NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0761
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315PBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF3315PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9226
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ24NPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ24NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9737
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW52N50C3, 52 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPW52N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8518
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7406TRPBF, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7406TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4951
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW47N60C3, 47 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 70 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPW47N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3455
  
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