产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
FQB27P06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0873
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP3A16GTA, 7.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMP3A16GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2545
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFZ24NS, 17 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFZ24NS
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1872
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R070C6, 53 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
IPW60R070C6
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3068
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR5305, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFR5305
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4312
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
SQD23N06-31L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9487
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX80N60P3, 80 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
IXFX80N60P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4502
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTF6P02T3G, 8.4 A, Vds=20 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
NTF6P02T3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
808-4138
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4243_F085, 14 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
FDD4243_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8082
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ24NSTRLPBF, 17 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
IRFZ24NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5853
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP27P06, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
FQP27P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5064
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP3A16DN8TA, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
ZXMP3A16DN8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2466
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP2066LSD-13, 5.8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
DMP2066LSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4222
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2066LSS-13, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
DMP2066LSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4231
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET AUIRF7341Q, 5.1 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRF7341Q
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4274
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR2703, 23 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRLR2703
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4347
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NVF6P02T3G, 8.4 A, Vds=20 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
NVF6P02T3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-1996
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF27P06, 19 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
FQPF27P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5901
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2066LSN-7, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
DMP2066LSN-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2624
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ROHM Si N沟道 MOSFET RSQ045N03TR, 4.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-95封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
RSQ045N03TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7778
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301TRPBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7301TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8847
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ24NPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
IRFIZ24NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-5015
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDN335N, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
FDN335N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0422
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN340P, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
FDN340P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0435
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP24NF10, 26 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 70 mΩ,
制造商零件编号:
STP24NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5377
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