产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK14A65W,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK14A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5028
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK35A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5110
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK6A65D(STA4,X,M)
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5191
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14A65W5,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK14A65W5,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6123
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK17E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6157
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK14N65W,S1F(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK14N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2891
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK17E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2923
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK6A65D(STA4,X,M)
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2420
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK17N65W,S1F(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK17N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5053
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5154
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK35N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6208
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6236
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK11A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2875
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14A65W,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK14A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2885
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK35A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2353
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK35N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2357
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK14A65W5,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK14A65W5,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5021
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK14E65W,S1X(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK14E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
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799-5025
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK17E65W,S1X(S, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
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TK17E65W,S1X(S
品牌:
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK11A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6110
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17A65W,S5X(M, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK17A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6154
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14A65W5,S5X(M, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK14A65W5,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2894
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK14E65W,S1X(S, 13.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK14E65W,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2897
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK17A65W,S5X(M, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK17A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2914
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产品分类:分立半导体,品牌:Toshiba,规格:最大漏源电压 650 V,
制造商零件编号:
TK11A65W,S5X(M
品牌:
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