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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 500 v,
• 制造商零件编号：
  IRFB812PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1939
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP299H6327XUSA1, 400 mA, Vds=500 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 500 v,
• 制造商零件编号：
  BSP299H6327XUSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9415
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPI12N50C3, 11.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 500 v,
• 制造商零件编号：
  SPI12N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8762
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP12N50C3, 11.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 500 v,
• 制造商零件编号：
  SPP12N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8801
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR812PBF, 3.6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 500 v,
• 制造商零件编号：
  IRFR812PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8957
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR825PBF, 6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 500 v,
• 制造商零件编号：
  IRFR825PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-8966
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R520CP, 7.1 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 500 v,
• 制造商零件编号：
  IPP50R520CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6912
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP299, 400 mA, Vds=500 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 500 v,
• 制造商零件编号：
  BSP299
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2804
  
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