以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP14N30, 14.4 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FQP14N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5039
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14N30TM, 14 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FDB14N30TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8949
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP3N30, 3.2 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FQP3N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5872
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA44N30, 43 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FQA44N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-8988
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP22N30, 21 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FQP22N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5058
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB38N30U, 38 A, Vds=300 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FDB38N30U
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0818
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD7N30TM, 5.5 A, Vds=300 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FQD7N30TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1037
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB28N30TM, 28 A, Vds=300 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 300 V,
• 制造商零件编号：
  FDB28N30TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8970
  
• 
  搜索