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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4229PBF, 45 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-883
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4768PBF, 93 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4768PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7020
  
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• Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7799L2TR1PBF, 375 A, Vds=250 V, 11引脚 DirectFET L8封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7799L2TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5397
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD600N25N3 G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IPD600N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5478
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB17N25S3-100, 17 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IPB17N25S3-100
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9002
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB600N25N3G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IPB600N25N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9204
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3975
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IPB200N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6870
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC600N25NS3 G, 25 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  BSC600N25NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4303
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4332PBF, 60 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4332PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-562
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS192P, 190 mA, Vds=250 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  BSS192P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2848
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP92PH6327XTSA1, 260 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  BSP92PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8501
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4229PBF, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6998
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4332PBF, 57 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP4332PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7008
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ42DN25NS3 G, 5 A, Vds=250 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ42DN25NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9382
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS139 H6327, 100 mA, Vds=250 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  BSS139 H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-5770
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4229PBF, 46 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6942
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP92P, 260 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  BSP92P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8237
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP317P, 430 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  BSP317P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2813
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IPP200N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5500
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP600N25N3 G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IPP600N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5617
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 BSR92PL6327, 140 mA, Vds=250 V, 3引脚 SC-59封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  BSR92PL6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9349
  
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• Infineon OptiMOS FD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP220N25NFD, 61 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  IPP220N25NFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6983
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC16DN25NS3 G, 10.9 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 250 V,
• 制造商零件编号：
  BSC16DN25NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4454
  
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