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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5802TRPBF, 900 mA, Vds=150 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRF5802TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-647
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS52N15DPBF, 51 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS52N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  639-1863
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4228PBF, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4228PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6948
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR4615PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7042
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4115PBF, 195 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS4115PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7092
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019H-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4019H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3198
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR6215, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR6215
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7411
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB072N15N3 G, 100 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IPB072N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8340
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  BSC520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5323
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5389
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IPB530N15N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8982
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215TRPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR6215TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4076
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI111N15N3GAKSA1, 83 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IPI111N15N3GAKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4650
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N15DPBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5778
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4228PBF, 34 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220ABFP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4228PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5813
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ900N15NS3 G, 13 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ900N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6886
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFIB41N15DPBF, 41 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFIB41N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5022
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019HG-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4019HG-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5113
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL5615PBF, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFSL5615PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5141
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4615, 33 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR4615
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8637
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215TRPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR6215TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4792
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4615TRLPBF, 33 A, Vds=150 V, 3针+焊片 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR4615TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-5020
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF6215PBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRF6215PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4927
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315SPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRF3315SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-158
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4019PBF, 17 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 150 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4019PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6920
  
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