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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT4N20LTF, 850 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQT4N20LTF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1065
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA32N20C, 32 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQA32N20C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4935
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP12P20, 11.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQP12P20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5010
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP19N20C, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQP19N20C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5042
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP18N20F, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FDP18N20F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3545
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF18N20FT, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF18N20FT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3591
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET IRL640A, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  IRL640A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8711
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD5P20TM, 2.3 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQD5P20TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9026
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF5P20, 3.4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQPF5P20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8772
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD7P20TM, 5.7 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQD7P20TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4948
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD18N20LZ, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FDD18N20LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8057
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2672_F085, 3.9 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FDS2672_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8638
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB19N20CTM, 19 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQB19N20CTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0867
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FQD10N20CTM, 7.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQD10N20CTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0936
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD18N20V2TM, 15 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQD18N20V2TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0977
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD7P20TM, 5.7 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQD7P20TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1034
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC2612, 1.1 A, Vds=200 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FDC2612
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9018
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD10N20LZTM, 7.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FDD10N20LZTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9124
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF39N20, 39 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF39N20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3614
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP3P20, 1.8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQP3P20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5875
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD12N20TM, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQD12N20TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9008
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQU5P20TU, 3.7 A, Vds=200 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQU5P20TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8782
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2672, 20 A, Vds=200 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS2672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4816
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB19N20LTM, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQB19N20LTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0876
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB34N20LTM, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Fairchild Semiconductor,规格：最大漏源电压 200 V,
• 制造商零件编号：
  FQB34N20LTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0898
  
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