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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPB17N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8482
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPP04N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3197
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPP06N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7776
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPA06N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8451
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPD06N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8489
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPP11N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3190
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPA08N80C3, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPA08N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5645
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU80R2K8CEBKMA1, 1.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  IPU80R2K8CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7104
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPA04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPA04N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2150
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP02N80C3, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPP02N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2298
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPA11N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8476
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPW17N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8508
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPA17N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3153
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD04N80C3, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPD04N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3172
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPD80R1K4CE, 3.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  IPD80R1K4CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7159
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP300, 190 mA, Vds=800 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  BSP300
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8211
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPW11N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8505
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPP17N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3194
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N80C3, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大漏源电压 800 V,
• 制造商零件编号：
  SPP08N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5636
  
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