产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
IRF9Z34SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-221
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9014PBF, 5.1 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
IRFR9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9604
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
IRFD9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0547
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9014PBF, 1.1 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
IRFD9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0733
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ14PBF, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
IRFZ14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1685
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRLD014PBF, 1.7 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
IRLD014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0478
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUD23N06-31L-E3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SUD23N06-31L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
611-1342
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
IRFU024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4822
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRLZ44, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
IRLZ44PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4897
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Vishay N沟道 MOSFET 2N7002K-T1-E3, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
2N7002K-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-2706
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI2309CDS-T1-GE3, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SI2309CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3250
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI2308BDS-T1-GE3, 2.3 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SI2308BDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3257
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-E3, 2.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SI4948BEY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3377
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7309DN-T1-E3, 3.9 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SI7309DN-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3386
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4755
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM110N06-3M4L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SUM110N06-3M4L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5010
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4850EY-T1-GE3, 8.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9014
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ1420EEH-T1-GE3, 1.6 A, Vds=60 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SQ1420EEH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9434
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ3426EEV-T1-GE3, 7 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SQ3426EEV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9456
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SQD23N06-31L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9487
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQJ460EP-T1-GE3, 32 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SQJ460EP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9490
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SQJ850EP-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9500
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7164DP-T1-GE3, 60 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
SI7164DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9529
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ24PBF, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
IRFZ24PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0672
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ40PBF, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,品牌:Vishay,规格:最大漏源电压 60 V,
制造商零件编号:
IRFZ40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0676
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