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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFPE30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9872
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2A14FTA, 4.1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN2A14FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7685
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9634GPBF, 4.1 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFI9634GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4780
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS86242, 4.1 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  FDS86242
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9692
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD04N60Z-1G, 4.1 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  NDD04N60Z-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0481
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDD04N60ZT4G, 4.1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  NDD04N60ZT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0484
  
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• ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTLJD3115PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  NTLJD3115PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0646
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5997DU-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  SI5997DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1365
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN6070SSD-13, 4.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  DMN6070SSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0493
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2047UCB4-7, 4.1 A, Vds=20 V, 4引脚 U-WLB1010封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  DMP2047UCB4-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3219
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFBE30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1124
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  SI2333DS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4691
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3457CDV-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  SI3457CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3298
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML6246TRPBF, 4.1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRLML6246TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7221
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTHD4508NT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  NTHD4508NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0591
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS2582, 4.1 A, Vds=150 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  FDS2582
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0479
  
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• ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET NTHD4102PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  NTHD4102PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0589
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTLJF3117PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 4.1 A,
• 制造商零件编号：
  NTLJF3117PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1058
  
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