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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET SPD50P03L G, 50 A, Vds=30 V, 5引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  SPD50P03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8495
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50N06S4L-12, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD50N06S4L-12
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9061
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P04P4-13, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD50P04P4-13
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9109
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N06S4-09, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD50N06S4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9175
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD088N06N3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD088N06N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5081
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC110N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  BSC110N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5303
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD075N03L G, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD075N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7437
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRL3715ZSPBF, 50 A, Vds=20 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IRL3715ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7190
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N06LS3 G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  BSC100N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5298
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD060N03L G, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD060N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5456
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC067N06LS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  BSC067N06LS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9121
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC076N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  BSC076N06NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9137
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPB50N10S3L-16
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8958
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP260MPBF, 50 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IRFP260MPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4013
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPI50N10S3L-16
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4685
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP084N06L3GHKSA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPP084N06L3GHKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6858
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPP50N10S3L-16
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6899
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD200N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8369
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPB200N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5443
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPP200N15N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5611
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P03P4L-11, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD50P03P4L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9159
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB081N06L3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPB081N06L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9525
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD079N06L3G, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD079N06L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5088
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD060N03LGATMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD060N03LGATMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4571
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50N03S4L-06, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,品牌：Infineon,规格：最大连续漏极电流 50 A,
• 制造商零件编号：
  IPD50N03S4L-06
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4590
  
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