产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6930B, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
FDS6930B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0655
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
FQPF6N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5290
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD05N50ZT4G, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
NDD05N50ZT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2806
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDF05N50ZG, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
NDF05N50ZG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2816
搜索
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 4引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
STP6N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0168
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF9N60M2, 5.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
STF9N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3671
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDU7N60NZTU, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
FDU7N60NZTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0710
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF730AS-GE3, 5.5 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
SIHF730AS-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2648
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET MCH6421-TL-W, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 MCPH6封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
MCH6421-TL-W
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
920-9815
搜索
NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PHT6N06T, 5.5 A, Vds=55 V, 4引脚 SC-73封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
PHT6N06T
品牌:
NXP
库存编号:
509-926
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP6N80C, 5.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
FQP6N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5161
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP3A16DN8TA, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
ZXMP3A16DN8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2466
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD05N50Z-1G, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
NDD05N50Z-1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2803
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3420U-7, 5.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
DMG3420U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4092
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
STD6N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9922
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP9N60M2, 5.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
STP9N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3811
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET MCH6421-TL-E, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 MCPH封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
MCH6421-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0951
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDD7N60NZTM, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
FDD7N60NZTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8108
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIB6N60APBF, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
IRFIB6N60APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1950
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL2703PBF, 5.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
IRLL2703PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0989
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSL307SP, 5.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
BSL307SP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2793
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC604P, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
FDC604P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3524
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ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET ECH8667-TL-H, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 ECH封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
ECH8667-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-0143
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDD6N50FTM, 5.5 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
FDD6N50FTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0925
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD7N30TM, 5.5 A, Vds=300 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 5.5 A,
制造商零件编号:
FQD7N30TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1037
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