产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44NSTRLPBF, 47 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
IRLZ44NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3417
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCA47N60F, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
FCA47N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1246
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCH47N60_F085, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
FCH47N60_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1303
查看其他仓库
Vishay N沟道 Si MOSFET IRFPS43N50KPBF, 47 A, Vds=500 V, 3引脚 Super-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
IRFPS43N50KPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1522
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
FQB47P06TM_AM002
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0905
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB47N10SL-26, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
IPB47N10SL-26
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8353
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG47N60E-GE3, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
SiHG47N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9332
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM47N10-24L-GE3, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
SQM47N10-24L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3951
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17308Q3, 47 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
CSD17308Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4836
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7692, 47 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
FDMS7692
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4810
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PHP45NQ10T,127, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
PHP45NQ10T,127
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-011
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44NPBF, 47 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
IRLZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0086
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLZ44NSPBF, 47 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
IRLZ44NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0620
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP47P06, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
FQP47P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5127
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NXP N沟道 Si MOSFET PSMN025-100D,118, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
PSMN025-100D,118
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8451
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH47N60N, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
FCH47N60N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6137
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCA47N60, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
FCA47N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1237
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCH47N60F_F085, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
FCH47N60F_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1306
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44NPBF, 47 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
IRLZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4814
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1516URH, 47 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
MDU1516URH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-5012
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW47N60C3, 47 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 47 A,
制造商零件编号:
SPW47N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3455
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