产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRF840LCPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
IRF840LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-495
搜索
Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ900, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
BUZ900
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-025
搜索
Magnatec Si N沟道 MOSFET BUZ901, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
BUZ901
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-053
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Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
BUZ906
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-110
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Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906P, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
BUZ906P
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-132
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
STW9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8623
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDS6375, 8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
FDS6375
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0564
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
FQP8N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5199
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Panasonic FC 系列 双 N沟道 Si MOSFET FC8V22040L, 8 A, Vds=24 V, 8引脚 WMini8-F1封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
FC8V22040L
品牌:
Panasonic
库存编号:
749-8246
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD10NM60ND, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
STD10NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9534
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
STP9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0213
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 四 N沟道 Si MOSFET FDMQ86530L, 8 A, Vds=60 V, 12引脚 MLP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
FDMQ86530L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1159
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMD4820NR2G, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
NTMD4820NR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0677
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4925DDY-T1-GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
SI4925DDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9052
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
SQ3460EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9468
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK8A60W,S5VX(M, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
TK8A60W,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5211
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8884, 8 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
FDMA8884
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
803-1841
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQH8N100C, 8 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
FQH8N100C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5857
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI3464DV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
SI3464DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3167
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4436DY-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
SI4436DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3224
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRLIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
IRLIZ14GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0702
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
IRFIZ14GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2724
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4800LSSL-13, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
DMN4800LSSL-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3233
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7328TRPBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
IRF7328TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8885
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STP10N95K5, 8 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 8 A,
制造商零件编号:
STP10N95K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1440
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