以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7493TRPBF, 9.3 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 9.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7493TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4960
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 9.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF630NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-5025
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 9.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF630NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0068
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF22P10, 9.3 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 9.3 A,
• 制造商零件编号：
  FQPF22P10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5891
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NSTRLPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 9.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF630NSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4945
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF630NSPBF, 9.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 9.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF630NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9276
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO150N03MD G, 9.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 9.3 A,
• 制造商零件编号：
  BSO150N03MD G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5345
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7493PBF, 9.3 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 9.3 A,
• 制造商零件编号：
  IRF7493PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  539-4962
  
• 
  查看其他仓库

• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN2014LHAB-7, 9.3 A, Vds=20 V, 7引脚 U-DFN2030封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 9.3 A,
• 制造商零件编号：
  DMN2014LHAB-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0462
  
• 
  查看其他仓库