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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN5L06DMK-7, 800mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-26封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 800mA,
• 制造商零件编号：
  DMN5L06DMK-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-2949
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN86265P, 800mA, Vds=150 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 800mA,
• 制造商零件编号：
  FDN86265P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8512
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET APT27ZTR-G1, 800mA, Vds=700 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 800mA,
• 制造商零件编号：
  APT27ZTR-G1
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-0843
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU01N60C3, 800mA, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 800mA,
• 制造商零件编号：
  SPU01N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3210
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET APT27HZTR-G1, 800mA, Vds=800 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 800mA,
• 制造商零件编号：
  APT27HZTR-G1
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-0849
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A07FTA, 800mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 800mA,
• 制造商零件编号：
  ZXMN10A07FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7954
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD220PBF, 800mA, Vds=200 V, 4引脚 HVMDIP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 800mA,
• 制造商零件编号：
  IRFD220PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0682
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4210GTA, 800mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 800mA,
• 制造商零件编号：
  ZVN4210GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5262
  
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• NXP 双 Si N沟道 MOSFET PMDT290UNE, 800mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-666封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 800mA,
• 制造商零件编号：
  PMDT290UNE
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2748
  
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