产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay N沟道 MOSFET 2N7002K-T1-E3, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002K-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-2706
搜索
Nexperia N沟道 Si MOSFET BSH121,135, 300 mA, Vds=55 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
BSH121,135
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8363
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN601WK-7, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
DMN601WK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4206
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MVMBF0201NLT1G, 300 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
MVMBF0201NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1957
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET 2N7002E-7-F, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002E-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-8641
搜索
NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8398
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN5L06WK-7, 300 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
DMN5L06WK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2434
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET 2N7002, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002
品牌:
Nexperia
库存编号:
752-7773
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN65D8LW-7, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
DMN65D8LW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5140
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002K, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002K
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-1126
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN32D2LFB4-7, 300 mA, Vds=30 V, 3引脚 DFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
DMN32D2LFB4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2570
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET 2N7002H6327, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002H6327
品牌:
Nexperia
库存编号:
826-9465
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP32D4S-7, 300 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
DMP32D4S-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3228
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 MMFT960T1G, 300 mA, Vds=60 V, 4引脚 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
MMFT960T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
864-7859
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQN1N60CTA, 300 mA, Vds=600 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
FQN1N60CTA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1046
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTJD5121NT1G, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-88封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
NTJD5121NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0627
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Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002CK, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002CK
品牌:
Nexperia
库存编号:
780-5344
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Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002BKS, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002BKS
品牌:
Nexperia
库存编号:
781-6701
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Vishay Si N沟道 MOSFET 2N7002K-T1-GE3, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002K-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9058
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002KW, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002KW
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-1135
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Vishay Si N沟道 MOSFET TN2404K-T1-GE3, 300 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
TN2404K-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7647
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN601TK-7, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-523封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
DMN601TK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2595
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Infineon OptiMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002DWH6327, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
2N7002DWH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0002
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PMBF170, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
PMBF170
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-3536
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN5L06DWK-7, 300 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续漏极电流 300 mA,
制造商零件编号:
DMN5L06DWK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2523
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