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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFBG30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1146
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFU9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1663
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFMA2P029Z, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  FDFMA2P029Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6197
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR320TRPBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR320TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0626
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110TRPBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR9110TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0644
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  IPD50R1K4CEBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4607
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFBG30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4508
  
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• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5882
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFR9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0395
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU320PBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFU320PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4840
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9008
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2065UW-7, 3.1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  DMN2065UW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-2930
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP3085LSD-13, 3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  DMP3085LSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0490
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD4P25TM_WS, 3.1 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  FQD4P25TM_WS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-8754
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  IRFPG30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9917
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2A01E6TA, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  ZXMN2A01E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2614
  
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• Fairchild Semiconductor 双 P沟道 MOSFET 晶体管 FDMA1029PZ, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  FDMA1029PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6226
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMV37EN, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  PMV37EN
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2808
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17381F4, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  CSD17381F4
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4842
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPU50R1K4CEBKMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  IPU50R1K4CEBKMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7069
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2306BDS-T1-E3, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  SI2306BDS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4676
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI6954ADQ-T1-GE3, 3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  SI6954ADQ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1371
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17381F4T, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  CSD17381F4T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9240
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI4948BEY-T1-GE3, 3.1 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大连续漏极电流 3.1 A,
• 制造商零件编号：
  SI4948BEY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4198
  
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